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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C426NAFT1G
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功率：3.8W€128W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000，"24+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
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功率：3.8W€128W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"23+"：6000，"24+"：13500}
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规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
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功率：3.8W€128W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：NVMFS5C426NAFT1G
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功率：3.8W€128W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
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功率：3.8W€128W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NVMFS5C426NWFAFT1G
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMJS1D3N04CTWG
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功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@170µA
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栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000，"24+"：13500}
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规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
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功率：3.8W€128W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
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连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMJS1D3N04CTWG
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMJS1D3N04CTWG
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栅极电荷：65nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NWFAFT1G
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功率：3.8W€128W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
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功率：3.8W€128W
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栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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