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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
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栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
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功率：2.3W€64W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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栅极电荷：47nC@10V
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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栅极电荷：47nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
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栅极电荷：110nC@10V
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
