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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2700，"19+"：15000，"21+"：4088，"22+"：54185，"MI+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
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功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
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功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
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生产批次：{"18+"：2700，"19+"：15000，"21+"：4088，"22+"：54185，"MI+"：36000}
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
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ECCN：EAR99
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类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
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连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2700，"19+"：15000，"21+"：4088，"22+"：54185，"MI+"：36000}
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ECCN：EAR99
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输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
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漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
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连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：1075pF@13V
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类型：2N沟道（双）非对称型
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漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：13A€26A
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：800mW€900mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：827pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8012S
输入电容：1075pF@13V
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）非对称型
连续漏极电流：13A€26A
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8012S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@13V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8012S
输入电容：1075pF@13V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A€26A
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：25V
类型：2N沟道（双）非对称型
功率：800mW€900mW
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：7mΩ@12A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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