品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD850N10L
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1465pF@25V
连续漏极电流:15.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.9nC@10V
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输入电容:1465pF@25V
连续漏极电流:15.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@12A,10V
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阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:1465pF@25V
连续漏极电流:15.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
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分类:Mosfet场效应管
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功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.9nC@10V
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类型:N沟道
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功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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