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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：3135pF@50V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：3135pF@50V
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阈值电压：4V@250µA
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输入电容：3135pF@50V
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导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
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阈值电压：4V@250µA
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输入电容：3135pF@50V
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导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
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输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：3135pF@50V
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阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：14.5A€60A
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连续漏极电流：14.5A€60A
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连续漏极电流：14.5A€60A
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