品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8333L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4545pF@20V
连续漏极电流:22A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8333L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4545pF@20V
连续漏极电流:22A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8333L
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功率:2.5W€69W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4545pF@20V
连续漏极电流:22A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4545pF@20V
连续漏极电流:22A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
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输入电容:4545pF@20V
连续漏极电流:22A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
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栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4545pF@20V
连续漏极电流:22A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
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