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    品牌
    连续漏极电流
    类型
    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 10.5A€16A
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数250个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数250个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数10个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数25个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:18W€2.3W

    连续漏极电流:10.5A€16A

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:945pF@15V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:20nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:18W€2.3W

    连续漏极电流:10.5A€16A

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:945pF@15V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:20nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:18W€2.3W

    连续漏极电流:10.5A€16A

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:945pF@15V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:20nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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