品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5802NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€93.75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5802NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€93.75W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5802NT4G
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阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTD5802NT4G
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功率:2.5W€93.75W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTD5802NT4G
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功率:2.5W€93.75W
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栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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功率:2.5W€93.75W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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类型:N沟道
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