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    连续漏极电流
    行业应用
    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 22.7A
    当前匹配商品:10+
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    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:945pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:22.7A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:945pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:22.7A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:945pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:22.7A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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