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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
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栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
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输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
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功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDMS86102LZ
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功率：2.5W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
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功率：2.5W€69W
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输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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连续漏极电流：7A€22A
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连续漏极电流：7A€22A
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导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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连续漏极电流：7A€22A
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导通电阻：29mΩ@5A，10V
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连续漏极电流：7A€22A
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连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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功率：3.5W€33W
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栅极电荷：9nC@10V
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输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
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功率：3.5W€33W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86102LZ
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功率：2.5W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1305pF@50V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
输入电容：431pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：7A€22A
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