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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C673NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C673NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS5C673NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS5C673NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C673NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS5C673NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
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输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：680pF@30V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@7A，10V
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