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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FDD3682
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功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1250pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
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功率：95W
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栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
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功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
功率：95W
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
输入电容：1250pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：36mΩ@32A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
功率：95W
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
输入电容：1250pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.25nF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，32A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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