品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1755pF@15V
连续漏极电流:15A€66A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1755pF@15V
连续漏极电流:15A€66A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1755pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD6670A
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功率:3.2W€63W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@5V
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类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
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规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
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漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
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导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
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阈值电压:3V@250µA
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A€66A
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导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD6670A
功率:3.2W€63W
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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ECCN:EAR99
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规格型号(MPN):FDD6670A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:15A€66A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.2W€63W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
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导通电阻:8mΩ@15A,10V
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类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6670A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1755pF@15V
连续漏极电流:15A€66A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
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