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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3616S
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@13V
连续漏极电流：16A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3616S
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@13V
连续漏极电流：16A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3616S
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@13V
连续漏极电流：16A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3616S
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@13V
连续漏极电流：16A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：6000}
规格型号(MPN)：FDMS3616S
输入电容：1765pF@13V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：25V
类型：2N沟道（双）非对称型
连续漏极电流：16A€18A
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
连续漏极电流：16A€18A
功率：2.3W€41W
栅极电荷：30nC@10V
阈值电压：3V@250µA
输入电容：1935pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3616S
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@13V
连续漏极电流：16A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3616S
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@13V
连续漏极电流：16A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3616S
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@13V
连续漏极电流：16A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：6.6mΩ@16A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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