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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：10875}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4979N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：35765，"16+"：7725}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4969N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：459897}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4979NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：459897}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4979NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：10875}
包装规格(MPQ)：75psc
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规格型号(MPN)：NTD4979N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：837pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
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功率：1.38W€26.3W
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栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.38W€26.3W
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栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：9.4A€41A
阈值电压：2.5V@250µA
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类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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