品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A€90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: