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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C025NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：3.41mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：67500}
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规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：13500}
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规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
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功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
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连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
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类型：N沟道
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输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
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连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"MI+"：67500}
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
功率：2.55W€30.5W
ECCN：EAR99
输入电容：1683pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C025NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：3.41mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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