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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：75000，"16+"：4550，"22+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：273，"20+"：1418，"21+"：1227，"22+"：17322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：273，"20+"：1418，"21+"：1227，"22+"：17322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
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功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
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功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：75000，"16+"：4550，"22+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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功率：750mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
类型：N沟道
输入电容：770pF@15V
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
连续漏极电流：7.2A€38A
功率：750mW
ECCN：EAR99
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工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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