采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
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规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
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生产批次：{"MI+"：3175}
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2210，"23+"：2148}
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生产批次：{"MI+"：3175}
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类型：N沟道
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：5W€291W
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类型：N沟道
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功率：5W€291W
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@650µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
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