首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    连续漏极电流
    行业应用
    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 8.2A€46A
    当前匹配商品:7
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":668206}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订1603个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订1603个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":668206}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订1603个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C10NT1G-001 起订1603个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.95mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订1036个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订1036个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C810NAT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW€23.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.88mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C810NAT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW€23.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.88mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C810NAT1G 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C810NAT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW€23.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:987pF@15V

    连续漏极电流:8.2A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.88mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧