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    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 14A€45A
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

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    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

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    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

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    栅极电荷:20nC@10V

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    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

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    栅极电荷:50nC@10V

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    输入电容:3370pF@50V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

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    功率:3W€30W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

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    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

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    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

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    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

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    栅极电荷:20nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

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    功率:2.7W€125W

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    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

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    输入电容:3370pF@50V

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    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订137个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订137个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

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    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:1100pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@30µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    功率:3W€30W

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:14A€45A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:1100pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@30µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    功率:3W€30W

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:14A€45A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:1100pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@30µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    功率:3W€30W

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:14A€45A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C478NLT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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