品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1063,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1063,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1063,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2280pF@15V
类型:N沟道
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:19A€22A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: