品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3490}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3490}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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生产批次:{"22+":871}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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生产批次:{"21+":3490}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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生产批次:{"21+":3490}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":871}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":3490}
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:4.2W€180W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:56A€368A
输入电容:9600pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:4.2W€180W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:56A€368A
输入电容:9600pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:4.2W€180W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:56A€368A
输入电容:9600pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:4.2W€180W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:56A€368A
输入电容:9600pF@25V
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:4.2W€180W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:56A€368A
输入电容:9600pF@25V
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":871}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
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工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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