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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4167CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A€1.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
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导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
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生产批次：20+/21+
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A€1.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4167CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A€1.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：2.6A€1.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
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