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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2955pF@75V
连续漏极电流：9.3A€28A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86200DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2955pF@75V
连续漏极电流：9.3A€28A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9.3A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
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输入电容：2955pF@75V
连续漏极电流：9.3A€28A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9.3A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86200DC
输入电容：2955pF@75V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
栅极电荷：42nC@10V
导通电阻：17mΩ@9.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9.3A€28A
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86200DC
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功率：3.2W€125W
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类型：N沟道
漏源电压：150V
栅极电荷：42nC@10V
导通电阻：17mΩ@9.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9.3A€28A
ECCN：EAR99
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