品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5849,"23+":3550}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
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功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:15mΩ@10A,10V
输入电容:620pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@25µA
连续漏极电流:12A€36A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:15mΩ@10A,10V
输入电容:620pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@25µA
连续漏极电流:12A€36A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:15mΩ@10A,10V
输入电容:620pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@25µA
连续漏极电流:12A€36A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€37W
阈值电压:2V@25µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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