采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935，"23+"：5115，"24+"：5577}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
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输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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类型：2N沟道（双）
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类型：2N沟道（双）
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类型：2N沟道（双）
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
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输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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包装方式：卷带（TR）
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工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
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导通电阻：9mΩ@10A，10V
功率：1.7W€26W
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
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