采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5255，"23+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8020
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5255，"23+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：6120pF@15V
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
连续漏极电流：26A€42A
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@15V
连续漏极电流：26A€42A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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