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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：265，"10+"：63975}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4815NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.26W€32.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：845pF@12V
连续漏极电流：6.9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：31120，"08+"：541121，"MI+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4815NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.26W€32.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@12V
连续漏极电流：6.9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2100，"07+"：2500，"11+"：6200，"12+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4815NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.26W€32.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@12V
连续漏极电流：6.9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4815NH-1G
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功率：1.26W€32.6W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：6.9A€35A
类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4815NHT4G
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功率：1.26W€32.6W
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类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：25，"11+"：525，"12+"：9500，"13+"：300，"14+"：10100，"18+"：37950，"22+"：10425}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4815N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.26W€32.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：14.1nC@11.5V
包装方式：管件
输入电容：770pF@12V
连续漏极电流：6.9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD4815N-35G
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生产批次：{"06+"：2100，"07+"：2500，"11+"：6200，"12+"：2500}
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
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导通电阻：15mΩ@30A，10V
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功率：1.26W€32.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@12V
连续漏极电流：6.9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：2100，"07+"：2500，"11+"：6200，"12+"：2500}
规格型号(MPN)：NTD4815NT4G
功率：1.26W€32.6W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：6.6nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：770pF@12V
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ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"07+"：31120，"08+"：541121，"MI+"：40000}
规格型号(MPN)：NTD4815NHT4G
输入电容：845pF@12V
功率：1.26W€32.6W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：25，"11+"：525，"12+"：9500，"13+"：300，"14+"：10100，"18+"：37950，"22+"：10425}
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包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD4815N-35G
功率：1.26W€32.6W
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阈值电压：2.5V@250µA
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库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4815N-35G
工作温度：-55℃~175℃
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输入电容：770pF@12V
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导通电阻：15mΩ@30A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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