品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS1D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€87W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS1D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€87W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS1D7N03CGT1G
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功率:3.8W€87W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS1D7N03CGT1G
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功率:3.8W€87W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS1D7N03CGT1G
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阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
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输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€87W
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输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
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输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
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导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
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功率:3.8W€87W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
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