品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
连续漏极电流:8A€30A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€46W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8.7nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
连续漏极电流:8A€30A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€46W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8.7nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: