品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
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功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
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阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:993pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:19.3nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:15.3A€47A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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