品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
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功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
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功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
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功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.13W€96W
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工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
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连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:5780pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
连续漏极电流:41A€230A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
功率:3.13W€96W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:5780pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
连续漏极电流:41A€230A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
功率:3.13W€96W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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