品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
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阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
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连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
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功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
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输入电容:2706pF@15V
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类型:P沟道
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阈值电压:3V@250µA
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输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
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包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
功率:3.2W€88.2W
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类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:2706pF@15V
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连续漏极电流:17A€88.6A
包装清单:商品主体 * 1
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