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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€245W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16013pF@20V
连续漏极电流：78.9A€554.5A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D6N04CLTXG
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功率：5W€245W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16013pF@20V
连续漏极电流：78.9A€554.5A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：16013pF@20V
连续漏极电流：78.9A€554.5A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：16013pF@20V
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输入电容：16013pF@20V
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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漏源电压：40V
栅极电荷：265nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
功率：5W€245W
输入电容：16013pF@20V
连续漏极电流：78.9A€554.5A
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