品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G-IRH1
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阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
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行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
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