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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS3D3N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS3D3N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€100W
阈值电压：2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
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功率：4W€100W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：4W€100W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
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功率：4W€100W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：NVMYS3D3N06CLTWG
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
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功率：4W€100W
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
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功率：4W€100W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2V@250µA
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLWFT1G
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功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：40.7nC@10V
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS3D3N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€100W
阈值电压：2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.7nC@10V
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS3D3N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
输入电容：2880pF@25V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：26A€133A
功率：4W€100W
类型：N沟道
栅极电荷：40.7nC@10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：3mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
输入电容：2880pF@25V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：26A€133A
功率：4W€100W
类型：N沟道
栅极电荷：40.7nC@10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：3mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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