采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：16964，"22+"：36000}
包装规格(MPQ)：233psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：16964，"22+"：36000}
包装规格(MPQ)：233psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：233psc
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规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
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功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
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输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
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连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
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生产批次：{"19+"：16964，"22+"：36000}
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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