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    品牌
    连续漏极电流
    行业应用
    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 8.5A€32A
    当前匹配商品:7
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":19425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:8.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":1445,"04+":1534,"05+":44100,"06+":30270,"07+":230625,"08+":139,"10+":3000,"9999":4900,"MI+":11653}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:管件

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    连续漏极电流:8.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":19425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

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    包装方式:管件

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    连续漏极电流:8.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:8.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

    阈值电压:2V@250µA

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    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:管件

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    连续漏极电流:8.5A€32A

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    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"03+":1445,"04+":1534,"05+":44100,"06+":30270,"07+":230625,"08+":139,"10+":3000,"9999":4900,"MI+":11653}

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    规格型号(MPN):NTD60N02R-1G

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

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    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

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    连续漏极电流:8.5A€32A

    功率:1.25W€58W

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订2671个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:管件

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    连续漏极电流:8.5A€32A

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    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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