品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":39610,"10+":16500,"11+":3000,"12+":24000,"18+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":39610,"10+":16500,"11+":3000,"12+":24000,"18+":1500}
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规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
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连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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