采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
连续漏极电流：18A€116A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：72nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2990pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8874
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2990pF@15V
连续漏极电流：18A€116A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
