采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
栅极电荷：143nC@10V
ECCN：EAR99
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
栅极电荷：143nC@10V
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
