品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
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连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
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输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
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工作温度:-55℃~150℃
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栅极电荷:43.6nC@10V
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连续漏极电流:24A€150A
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连续漏极电流:24A€150A
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输入电容:2745pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
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工作温度:-55℃~150℃
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ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
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库存:
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
连续漏极电流:24A€150A
类型:N沟道
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@20V
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类型:N沟道
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