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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：8}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H02NFT1G
工作温度：150℃
功率：3.13W€83W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：8}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H02NFT1G
工作温度：150℃
功率：3.13W€83W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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规格型号(MPN)：NTMFS4H02NFT1G
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阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：40.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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工作温度：150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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