采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDP8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDP8870
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功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDP8870
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功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
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连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
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连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：19A€156A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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