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    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 20A€129A
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    分类:Mosfet场效应管

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    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    分类:Mosfet场效应管

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    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    销售单位:

    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    连续漏极电流:20A€129A

    输入电容:7850pF@60V

    漏源电压:120V

    栅极电荷:107nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    连续漏极电流:20A€129A

    输入电容:7850pF@60V

    漏源电压:120V

    栅极电荷:107nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

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    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    连续漏极电流:20A€129A

    输入电容:7850pF@60V

    漏源电压:120V

    栅极电荷:107nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    连续漏极电流:20A€129A

    输入电容:7850pF@60V

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    栅极电荷:107nC@10V

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订40个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订40个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800120DC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800120DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@60V

    连续漏极电流:20A€129A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.14mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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