品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
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功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
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功率:188W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
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连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
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