品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1070}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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生产批次:{"22+":1070}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
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生产批次:{"22+":1070}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1070}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1070}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: