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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1335，"19+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4833NAT1G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@12V
连续漏极电流：16A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1335，"19+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4833NAT1G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@12V
连续漏极电流：16A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTMFS4833NAT1G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@12V
连续漏极电流：16A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：7500pF@12V
连续漏极电流：16A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：7500pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
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输入电容：7500pF@12V
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连续漏极电流：16A€191A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：150nC@11.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：7500pF@12V
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
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