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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：181228，"18+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C85NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：15.4A€29.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：181228，"18+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C85NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：15.4A€29.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFD4C85NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：15.4A€29.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.13W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：1960pF@15V
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类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
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连续漏极电流：15.4A€29.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：15.4A€29.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
导通电阻：3mΩ@20A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：15.4A€29.7A
功率：1.13W
包装清单：商品主体 * 1
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